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| 中微公司(688012)经营总结 | | 截止日期 | 2024-06-30 | | 信息来源 | 2024年中期报告 | | 经营情况 | 四、 经营情况的讨论与分析
数码产业越来越成为国民经济发展的最主要引擎，作为数码产业的基石，加工集成电路和各种微观器件的半导体设备产业，也越来越成为人们最关注的硬科技产业之一。作为国内外半导体高端设备的领先公司，中微公司迎来了快速发展的机会。中微的主打产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。由于光刻机的波长限制和 2维芯片到 3维芯片的发展，等离子体刻蚀设备越来越成为关键制约设备，也成为十大类关键设备市场最大的一类，占半导体前道设备总市场约 22%。公司布局的薄膜设备（主要是化学薄膜和外延设备）是除光刻机和刻蚀机外第三大设备市场。此外，中微公司全面布局第四大设备市场——检测设备。在集成电路产业飞速发展的浪潮中，中微公司以高端半导体设备为核心，坚持技术的创新、产品的差异化和知识产权的保护，不断开发具有市场竞争力的设备；同时，中微公司将整合产业链上下游和相关资源作为另一发力点，积极考虑投资和并购，推动公司更快发展。预计未来五到十年，中微公司将通过自主研发以及携手行业合作伙伴，覆盖集成电路关键领域 50%至 60%的设备。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的革命性变化。存储器件从 2D到 3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，近年来市场的年平均增长速度远高于其他的设备，这给以刻蚀机和薄膜设备为主打产品的中微公司带来了快速成长机会。近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的 MOCVD设备是最重要的关键设备。与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠 MOCVD设备实现，而且这个设备的大部分市场在中国大陆。公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，聚焦集成电路关键设备领域，扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、健康、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化、精细化生产模式，公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。 公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目正在顺利推进中。公司位于南昌的约 14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于2023年 7月正式投入使用；公司在上海临港的约 18万平方米的生产和研发基地主体建设已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海临港滴水湖畔约 10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设，为今后的发展夯实基础。（图：中微南昌生产和研发基地项目整体航拍图） （图：上海临港生产和研发基地项目整体航拍图）报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。
1、产品研发及客户拓展方面
公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好，在部分关键客户市场占有率稳步提升。2024年上半年公司研发投入总额 9.70亿元，较上年同期增加 110.84%，研发投入总额占营业收入比例为 28.15%。公司目前在研项目涵盖六类设备，包含多个关键制程工艺的核心设备开发。公司持续打造领先设备公司市场形象，积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。
（1）CCP刻蚀设备
公司 CCP刻蚀设备中双反应台中 Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE-e新增付运量保持高速增长,2024年上半年付运量超过2023年全年付运量。单反应台 CCP刻蚀设备 Primo HD-eRIE，Primo HD-RIE和 Primo UD-RIE付运势头强劲，2024年上半年付运量较2023年全年增加约3倍。截至2024年 6月，公司累计生产付运超过 3600个 CCP刻蚀反应台，2024年上半年新增付运设备数量创历史新高。公司已有的 CCP刻蚀产品已经覆盖 28纳米以上逻辑器件制造的绝大部分 CCP刻蚀应用，其中 Primo-DRIE，Primo AD-RIE可以满足绝大多数 28纳米以上 CCP刻蚀制程的需求，2024年上半年付运数量超过2023年全年付运。配备动态调温静电吸盘的双反应台 Primo AD-RIE-e除了持续付运用于最先进的逻辑芯片生产线外，持续拓宽应用，取得先进存储生产线的重复订单，2024年上半年付运量为2023年全年的 2倍以上。可调节电极间距的双反应台 CCP刻蚀机 Primo SD-RIE在首家先进逻辑客户端针对金属掩膜一体化大马士革刻蚀工艺的验证进入良率测试阶段，已经进入第二家客户开展现场验证。并与多家客户达成评估意向，目前实验室开发进展顺利。PrimoSD-RIE采用双反应台平台设计，在满足严苛工艺指标的同时可以有效的降低生产成本。Primo SD-RIE具有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，能灵活调节等离子体浓度分布和活性自由基浓度分布。针对复杂膜层结构的刻蚀工艺，Primo SD-RIE可以通过动态调节电极间距以及多区调温静电吸盘对的温度来达到最优的刻蚀均匀性。在存储器件制造工艺中，公司的成熟产品可以覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。同时，验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的量产能力。该设备适用于 DRAM和 3D NAND器件制造中最关键的高深宽比刻蚀工艺。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，在超低温静电吸盘和新型刻蚀气体研究上投入大量资源，积极储备更高深宽比结构刻蚀的前卫技术。
（2）ICP刻蚀设备
报告期内，公司的 ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 60多条客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP®刻蚀设备中的 Primo Nanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>70%的年均复合增长。报告期间内，公司持续推进各种 Nanova UE、LUX和 VE HP在先进逻辑芯片、先进 DRAM和 3D NAND的 ICP验证刻蚀工艺的验证。其中 Nanova VE HP在 DRAM制造中的的高深款比多晶硅掩膜应用上，投入大量产。LUX也已逐步在多个客户的产线上实现小量产。Primo Twin-®Star则在海内外客户的成熟逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管 Micro-LED、AR眼镜用的超®透镜 Meta Lens等特色器件的产线上实现量产，并取得重复订单。首台 Primo-Twin Star 200也付到客户端开展 Meta Lens的产线上认证。®报告期内，公司 ICP技术设备类中的 8英寸和 12英寸深硅刻蚀设备 Primo TSV 200E、®Primo TSV 300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在 12英寸的 3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户新建的世界第一条 12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司 Primo®TSV 300E 刻蚀设备拓展了新的市场。在追求更高刻蚀性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了Primo Menova Al刻蚀设备，并和多个客户开展铝线刻蚀工艺的合作开发。报告期内，公司 ICP刻蚀设备产品部门持续攻克技术难点，开展技术创新，为推出下一代ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代的逻辑、DRAM和 3D NAND存储等芯片制造对 ICP刻蚀的需求。
（3）MOCVD设备
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报告期内，公司用于蓝光照明的 PRISMO A7、用于深紫外 LED的 PRISMO HiT3、用于®Mini-LED显示的 PRISMO UniMax 等产品持续服务客户。公司累计 MOCVD产品出货量超过®500腔，持续保持国际氮化镓基 MOCVD设备市场领先地位。其中 PRISMO UniMax产品，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，已累计出货近 150腔，在®Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先地位。PRISMO UniMax设备拓展了公司的MOCVD设备产品线，为全球 LED芯片制造商提供极具竞争力的 Mini-LED量产解决方案，公司正与更多客户合作进行设备评估，扩大市场推广。同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对 Micro-LED应用的专用 MOCVD设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，已付运样机至国内领先客户开展生产验证。 ®（图：PRISMO UniMax MOCVD设备）公司还积极布局用于功率器件应用的第三代半导体设备市场。在氮化镓功率器件领域，随着手机和笔记本电脑快充、数据中心等应用的快速爆发，带动氮化镓功率器件生产应用的专用设备®提速增长。公司开发了用于氮化镓功率器件生产的 MOCVD设备 PRISMO PD5，已交付多家国内外领先客户进行生产验证，并取得了重复订单。公司也基于产业界的新需求，正开发下一代用于氮化镓功率器件制造的新型 MOCVD设备，进一步提升公司在该领域的市场竞争力。 ®（图：PRISMO PD5 MOCVD设备）此外，随着电动汽车、光伏储能、轨道交通等应用的快速发展，市场对碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，目前已取得较大的技术进展，实现了优良的工艺结果，已将样机付运至客户端开展生产验证，并正与多家领先客户开展商务洽谈。
（4）薄膜沉积设备研发
公司开发的 CVD（化学气相沉积）钨设备已通过关键存储客户端现场验证，满足金属互联钨制程各项性能指标，并获得客户重复量产订单。公司在 CVD W基础上开发的 HAR（高深宽比）钨设备采用创新的工艺解决方案，已通过关键存储客户端现场验证，满足存储器件中的高深宽比金属互联应用中各项性能指标，并获得客户重复量产订单。除此之外，中微进一步开发的具备三维填充能力的 ALD（原子层沉积）钨设备，采用完全自主知识产权的机台设计，可精准控制工艺过程，实现精准的原子级别生长。该设备已通过关键存储客户端现场验证，满足三维存储器件字线应用中各项性能需求，并获得客户重复量产订单。中微公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，均已通过关键存储客户端现场验证并收到重复量产订单。同时公司已完成多个逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W钨设备的样品验证，并已经付运机台到逻辑客户进行验证，为进一步积累市场优势打下基础。同期，公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的 ALD氮化钛设备也在稳步推进，实验室测试结果显示，设备的薄膜均一性和产能均表现出世界领先水平。在现有的金属 CVD和 ALD设备研发基础上，公司已规划并正在开发多款 CVD和 ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的同时，大大提高了产能，降低了材料成本。此外，中微独立自主的知识产权设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产品未来的可持续发展。®（图：12英寸高深宽比金属钨沉积设备 Preforma Uniflex HW）®（图：12英寸原子层金属钨沉积设备 Preforma Uniflex AW）公司组建的 EPI设备研发团队，通过基础研究和根据关键客户的技术反馈，已经形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案,目前公司 EPI设备已顺利进入客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。
（5）净化设备
子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理的化学反应器，开发制造了工业用大型净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。中微惠创与德国 DAS环境专家有限公司签订战略合作协议后，双方秉承协议内容按计划实施，在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经生产制造的净化设备顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。此外，中微惠创还在积极探索新能源领域的相关研究。
（图：净化设备）
（6）分布式生态工业互联网平台
子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀总结的业务管理最佳实践，以及半导体等高、精、尖制造领域多家企业的数字化规划与建设经验，自主研发并推出了适配新型工业化发展趋势的完善数字化产品体系，致力于服务高科技制造产业与企业，以制造行业细分领域专业管理视角，协助解决企业实际经营中的核心痛点：不仅全面提升研发、制造、质量、交付、售后管理能力，还助力企业融入产业生态，全面参与产业协作体系。推动本土制造产业培育更多“专精特新”中小企业和单项冠军企业。另一方面，积极通过区块链、Web 3、人工智能等创新数字化手段，为本土制造产业打造企业间协同互信、资源共享的产业生态型平台。目前，汇链产品覆盖工业场景应用数量已超 70个，可订阅微服务超 600个。
中微汇链为国家信通院“星火·链网”半导体骨干节点技术建设单位、上海市工业互联网协会以及中国物流与采购联合会区块链分会的首批理事单位、思爱普（SAP）集团 PE Build与Industry Cloud（半导体行业）合作伙伴、上海市浦东新区中小企业数字化转型城市试点服务商、中国产业区块链企业 100强，并代表中微公司成为上海市与上海浦东新区集成电路产业数字化转型“链主”培育企业；获得上海市质量管理数字化转型案例十佳案例、生产性互联网服务平台揭榜挂帅项目、2023年中国产业区块链创新案例、工赋引擎-上海市工业互联网创新发展实践案例等奖项；并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》等多项数字化领域团体标准。
报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。
2、生产基地建设
为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司正在上海临港新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。在南昌的约 14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于2023年 7月正式投入使用；公司在上海临港的约 18万平方米的生产和研发基地主体建设已完成，并于2024年 8月正式投入使用；上海临港滴水湖畔约 10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设中，为今后的发展夯实基础。
3、供应保障方面
公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工作。受到全球供应链紧张的影响，公司少量零部件交期较以往有所延长，但通过公司同供应商的通力协作，公司报告期内产品按计划交付。
4、营运管理方面
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。
报告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。
5、知识产权保障方面
公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请 97项，其中发明专利 63项。截至2024年6月30日，公司已申请 2,648项专利，其中发明专利 2,224项；已获授权专利 1,670项，其中发明专利 1,434项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。
6、人才建设方面
公司视员工为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双通道，并设计了针对不同发展阶段，包括从入职、成长到成熟，形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普通员工，还是高管团队均能获得充分的发展机会。同时，公司践行“四个十大”的公司文化，打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生，公司2024年上半年新入职员工 428人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习交流，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财会金融、人工智能和人才发展六大学习版块，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的向高绩效员工倾斜。2024年4月26日，公司向 1791名激励对象授予 880万股限制性股票。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才保障。
7、外延式发展方面
公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好的进展，得到了市场和用户的认可。公司同时积极探索在相关领域的投资机会，公司诸多参股投资的公司营运表现良好，形成了良好的产业链协同效应。
8、内部治理方面
公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。
9、信息披露及防范内幕交易方面
公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证 e互动、电话、邮件等诸多渠道，与投资者保持有效沟通，并确保信息披露的合规。报告期内，公司荣获上海上市公司协会“公司治理和内部控制优秀实践案例”、中国基金报“英华 A股价值奖”等多个奖项。
公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
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