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| 拓荆科技(688072)经营总结 | | 截止日期 | 2024-06-30 | | 信息来源 | 2024年中期报告 | | 经营情况 | 四、 经营情况的讨论与分析
报告期内，公司一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，并重点聚焦薄膜沉积设备和混合键合设备的研发与产业化应用。公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的高性能、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进制程领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异的成果，进一步促进公司综合实力的提升。
1、主要经营情况
报告期内，公司不断突破核心技术，持续推进各系列产品的迭代升级与产业化应用，并取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，报告期内，公司新签销售订单及出货金额均同比大幅增加，且第二季度新签订单环比第一季度亦有大幅增加，截至报告期末，公司在手销售订单充足。2024年上半年度，公司实现营业收入126,689.07万元，同比增长26.22%；实现归属于上市公司股东的净利润12,909.40万元，同比增长3.64%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1,995.75万元，同比减少69.38%。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，不断拓展新产品及新工艺，包括超高深宽比沟槽填充CVD设备、PECVD Bianca工艺设备及键合套准精度量测设备，并持续进行设备平台及反应腔的优化升级，包括新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）等，进一步扩大公司产品及工艺覆盖面，提升产品核心竞争力，研发投入金额达到31,431.34万元，同比增长49.61%，研发投入占营业收入比例达24.81%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断丰富设备产品品类，拓宽薄膜工艺应用覆盖面，在新工艺机型研发、验证，以及产品出货、产业化应用等方面均取得了优异成果。随着公司业务规模逐步扩大和先进产品陆续推出，公司设备出货量大幅增加。2024年上半年度，公司出货超过430个反应腔。截至报告期末，公司累计出货超过1,940个反应腔（包括超过130个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。预计公司2024年全年出货超过1,000个反应腔，将创历史新高。 报告期内，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面，推出的超高深宽比沟槽填充CVD、PE-ALD SiN工艺设备、HDPCVD FSG、HDPCVD STI工艺设备等新产品及新工艺均通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末，公司推出的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。为实现产品系统性能的进一步提升，报告期内，公司开发一套智能化的软硬件系统（Smart Machine），通过收集设备的数据，并引入数据分析、统计、机器学习等方法，搭建智能化数据分析平台，可实现支持设备调试、系统优化、实时监控、故障修复等功能，提高设备装机调试效率、提升设备性能、降低维护成本，进一步提高产品竞争力。报告期内，公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过 90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破1.94亿片。HTN、a-Si等先进介质薄膜材料。PF-300T eXPF-300T Plus eXPF-300T pXPF-300T Plus pXPF-300T Supra-DPF-300M Supra-DPF-300T Bianca 在晶圆背面沉积SiN、SiO2等介质薄膜材料NF-300H Thick TEOS等较厚的介质薄膜材料PF-150T（新型功率器件领域）UV Cure PF-300T Upsilon HTN、LoKⅡ等薄膜材料的固化和性能优化后处理① PECVD产品PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括SiO、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、2LoKⅠ、LoKⅡ、ADCⅠ、ADCⅡ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用，广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司不断拓展通用介质薄膜材料工艺及先进介质薄膜材料工艺的应用，公司PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模。公司自主研发并推出了PECVD Bianca工艺设备，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。报告期内，公司首台PECVD Bianca工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末, 超过25个PECVD Bianca工艺设备反应腔获得订单，部分反应腔已出货至客户端。公司两款新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和两款新型反应腔（pX和Supra-D）持续获得客户订单并出货至多个客户端，验证进展顺利。截至报告期末，公司累计超过180个新型反应腔（pX和Supra-D）获得客户订单，超过130个反应腔出货至客户端验证。两款新型设备平台的设计进一步提升了设备产能，机械产能可提高约 20%至 60%，新型反应腔进一步提升了薄膜沉积的性能指标，包括薄膜均匀性、颗粒度等指标，可以满足客户在技术节点更新迭代的过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。公司开发并推出了用于新型功率器件领域SiC器件制造中的SiO、SiN、TEOS、SiON等薄膜2工艺PECVD设备，已实现产业化应用，报告期内，该产品持续获得客户重复订单并出货至客户端验证。公司NF-300H型号的PECVD设备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在3D IC领域具有广泛应用前景，报告期内持续出货至客户端，扩大量产规模。② UV Cure产品公司UV Cure设备与PECVD设备成套使用，为PECVD HTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UV Cure（HTN、LokⅡ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货至客户端验证，继续扩大量产应用规模。
（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
① PE-ALD产品
报告期内，公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，首台PE-ALD SiN工艺设备（PF-300T Astra）通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末，公司PE-ALD高温、低温SiO、SiN等2
薄膜均已实现产业化应用，并持续获得客户订单、出货至客户端验证，不断扩大量产规模。② Thermal-ALD产品公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALD设备持续获得订单并出货至客户端验证，已通过验证的Thermal-ALD（TS-300 Altair）设备再次获得重复订单，该设备为集成工艺设备，可以在同一台设备中沉积Thermal-ALD金属化合物薄膜及PECVD ADC II薄膜。此外，公司持续拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，持续扩大薄膜材料覆盖面，并积极推进客户端的验证，报告期内整体进展顺利。
（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司SACVD系列产品持续获得客户的订单、出货至客户端验证并扩大量产应用规模，保持了产品的核心竞争优势，在公司产品收入占比同比大幅提高。公司推出的等离子体增强SAF薄膜工艺应用设备在客户端验证进展顺利，同时，公司基于新型平台 PF-300T Plus开发的SAF薄膜工艺应用设备获得客户订单并发货至客户端验证。截至本报告期末，公司可实现SA TEOS、BPSG、SAF薄膜工艺沉积的SACVD设备在国内集成电路制造产线的应用规模进一步提升。
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司多台HDPCVD FSG、STI工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用，HDPCVD USG工艺设备持续扩大量产规模，公司HDPCVD设备持续获得客户重复订单。截至本报告披露日，公司HDPCVD USG、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化，HDPCVD反应腔累计出货量达到70个，并持续扩大量产规模，在公司产品收入占比同比大幅提高。
（5）超高深宽比沟槽填充CVD系列产品研发及产业化进展情况
充CVD PF-300T Flora SiO2等介质薄膜材料。
报告期内，公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台通过客户验证，实现了产业化应用，并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端验证。截至本报告披露日，与超高深宽比沟槽填充CVD设备相关的反应腔累计出货超过15个。
（6）混合键合系列产品研发及产业化进展情况
公司晶圆对晶圆键合产品Dione 300及芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品Propus均实现产业化，性能表现优异。报告期内，两款产品均获得客户量产重复订单。
此外，公司自主研发了键合套准精度量测产品。该设备产品可以实现晶圆对晶圆混合键合和芯片对晶圆混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能和无盲区量测等特点，同时兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景，可以解决客户在未来混合键合技术迭代时量测精度不够、产能不足、兼容性不够等需求。报告期内，公司键合套准精度量测产品Crux 300已获得客户订单。
3、供应链保障方面
公司持续优化供应链管理体系，建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制，合理规划采购体量及进度，通过提前策划、共享需求预测等方式提高供应链协同性及响应能力，以确保部件供给匹配机台生产需求。公司注重供应商关系管理，将与供应商的简单供需关系提升到协同合作、创新共赢的合作伙伴关系，持续完善供应商支持与绩效考核机制，通过组织培训、现场稽核等方式，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。公司通过召开合作伙伴大会等形式，加强与供应商的互动交流，激发创新性解决方案，进一步推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，持续提升公司设备的先进性、可靠性。公司采用全球化、多货源的供应策略，保证关键部件的及时稳定供应。报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产、及时交付。
4、市场销售情况
报告期内，公司继续聚焦中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术、客户资源、售后服务等方面的核心竞争优势，持续增强产品竞争力，进一步促进客户群体的拓展，公司产品的市场覆盖面和客户认可度持续提升，截至报告期末，公司在手订单饱满。
公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜系列产品持续获得客户的批量订单，量产应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加。此外，公司新推出的混合键合系列产品Dione 300及Propus均获得客户重复订单，公司新推出的键合套准精度量测产品Crux 300也获得了客户订单。公司继续保持与下游客户深入稳定的合作，持续提供定制化、高性能的设备产品，以及高质量的售后服务，为公司业务持续增长奠定坚实基础。
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司结合业务发展需要，持续加强人才梯队建设，人员规模不断扩大，截至2024年6月30日，公司员工总数达到1,253人，其中，研发人员506人，占公司员工总数的40.38%。
在人才引进方面，积极吸引行业经验丰富的管理及技术人才，并从国内高校选拔优秀的毕业生，形成良好的人才梯队。在人才激励方面，公司充分发挥绩效考核激励作用，持续增强员工的荣誉感和凝聚力；在人才培养方面，公司建立了完善的人才储备及培养体系，不断探索校企合作新机制，已经与国内多所知名高校建立校企联合培养机制，推荐优秀工程师进行在职教育，同时，公司作为省级博士后实践基地，与高校共同联合培养博士后；公司积极推动产学研密切合作，同时着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。
报告期内，公司完成了2023年度限制性股票激励计划的首次授予，共向697名激励对象授予300万股（注：为公司2023年度资本公积转增股本前股数）第二类限制性股票。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。
6、营运管理方面
报告期内，公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，搭建的智能化 MES（生产管理系统）全面上线运行，有效提升生产效率，实现生产追溯性系统管理，形成整个生产过程透明化管理；公司持续强化产品质量的管理体系，为顺利推进公司新产品的开发和验证，通过采取EHS（环境、健康、安全）部门持续完善公司在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的合规和安全。同时，公司持续完善信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全。
7、募投项目建设进展情况
① 公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目” 为进一步完善产业布局，公司在上海临港新片区购置整体厂房，建设新的研发及生产基地（建筑面积为5,181.68平方米），开展ALD薄膜沉积设备的研发与产业化。截至本报告期末，该项目的研发与产业化基地建设厂房改造已经完成并投入使用，已经开展ALD设备的研发和生产相关工作，本募投项目已结项。 ② 超募资金投资建设新项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目” 公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地（土地面积为39,990.20平方米），用于先进半导体薄膜沉积设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。报告期内，公司按计划施工建设，进展顺利，预计2024年底完成基地的整体建设，2025年6月前投入使用。注：项目尚在建设中，上图为规划效果图③ 新建项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”公司新建投资项目“高端半导体设备产业化基地建设项目”是在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。项目总投资金额约为人民币110,000.00万元，其中募集资金及超募资金投入约为人民币26,826.60万元，其余项目资金约人民币83,173.40万元由公司及拓荆创益自筹。该产业化基地建成后，将大幅提高公司薄膜沉积设备的产能，以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长。截至本报告披露日，公司已完成项目规划用地的付款，项目规划设计等工作正在有序开展。 注：项目尚在规划设计中，上图为规划效果图
8、对外投资情况
报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：
① 设立全资子公司拓荆日本
报告期内，公司出资2亿日元设立了全资子公司拓荆日本，拓荆日本将主要从事半导体设备及其零部件的组装、设计、开发、销售及进出口贸易等业务，为公司进一步拓展海外市场奠定基础。
② 向控股子公司拓荆键科增资
报告期内，公司以向拓荆键科提供的借款形成的债权作价 6,873.58万元认购拓荆键科新增注册资本67.5409万元，本次债转股完成后，公司合计持有拓荆键科注册资本617.5409万元。
截至本报告披露日，公司合计持有拓荆键科 57.8471%的股权，拓荆键科仍为公司的控股子公司。
③ 积极开展产业投资
公司积极开展与公司具有协同效应的产业公司的投资布局，报告期内，公司完成对新松半导体等公司的增资。公司开展的产业投资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应。
9、公司治理情况
报告期内，公司共召开3次股东大会、5次董事会、2次董事会审计委员会、1次董事会提名委员会、2次董事会薪酬与考核委员会、5次监事会及1次独立董事专门会议。
公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况 公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作。公司严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作；公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研、电话交流以及反路演等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系。此外，公司将继续遵守相关法律法规，完善投资者关系管理制度，提高投资者关系管理水平，为投资者提供优质的服务，实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内，公司召开3次业绩说明会/业绩交流会，开展80余次投资者交流活动。
公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守股票减持及增持等相关规定。
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
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