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| 万业企业(600641)经营总结 | | 截止日期 | 2024-06-30 | | 信息来源 | 2024年中期报告 | | 经营情况 | 三、经营情况的讨论与分析
集成电路设备是贯穿半导体全产业链的技术先导者和产业基石。2024年上半年受下游消费电子回暖、服务器需求旺盛等带动，半导体设备市场整体呈复苏态势。公司面向国内集成电路芯片制造技术发展及市场需求，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续加大对新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强产品市场竞争力。报告期内，公司在集成电路离子注入机等产品领域的竞争力不断提升，市场认可度与品牌知名度不断增强，下游市场与客户进一步拓展，业务规模持续做大，取得了良好的业绩。2024年至今，公司旗下凯世通及嘉芯半导体共获得集成电路设备订单约 2.2亿元，2020年至今，两家公司累计获得集成电路领域订单金额近 19亿元。
公司旗下控股子公司凯世通主营产品离子注入机是芯片制造中至关重要的核心前道工艺设备之一，其系统复杂度高、注入工艺验证困难，开发难度仅次于光刻机。当前，随着芯片尺寸逐渐微缩，为满足更低能量下的大剂量离子注入需求，低能大束流离子注入机的重要性日益凸显，市场占比约为 60%，中束流与高能机市场占比均为 20%左右。由于离子间存在同性相斥的物理特性，低能大束流离子注入机需要克服极端低能量与大束流离子之间的矛盾，同时满足高精准度、低颗粒污染的要求，具有极高的技术难度。凯世通凭借在离子注入机领域的技术积累，开发出低能大束流离子注入机与高能离子注入机，并基于客户需求及工艺趋势不断迭代，提高了产品系列化程度，获得了长足发展。为实现半导体设备工艺不断突破，公司将坚持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，力求不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。突破、业务发展、规范治理等诸多方面取得了卓有成效的进展。
1、生产研发及市场拓展方面
报告期内，公司通过持续大量的研发投入，不断开发满足、引导市场需求的自研前沿技术及产品。作为国产低能大束流离子注入机产业化的领军者，凯世通立足自主创新，在不断提升现有量产机台生产效率与稳定性的同时，面向客户新工艺需求及产业前沿技术趋势，加大新机台开发力度，进行更多关键制程工艺开发和验证，不断提升产品覆盖率与市场占有率。凭借设备在客户端的良好性能表现和服务团队专业高效的售后服务，凯世通在客户端的品牌形象与口碑不断增强。
这使得凯世通的高端离子注入机系列产品不仅赢得了更多已有重要客户的重复订单，也获得了多家新客户青睐，不断拓宽市场份额。 2024年至今，凯世通已有 3家头部客户给予批量重复订单，并新增开拓 2家新客户订单。截至目前，凯世通的主要产品在客户销售方面取得显著成果：低能大束流离子注入机客户已突破 10家以上；超低温离子注入机客户突破 7家；高能离子注入机客户也突破 2家。 2020年至今，凯世通累计签署 12英寸集成电路离子注入机设备订单总数近 60台，订单总金额近 14亿，已完成交付 30台，主要服务于先进逻辑、存储、功率器件、CIS图像传感器等应用领域。上述系列产品在关键节点上的工艺覆盖率和良率满足生产要求，产能置换率不断提升，为用户提供广覆盖、高产能、低成本的优选解决方案。 在新产品研发方面，凯世通除不断持续提升低能大束流离子注入机及高能离子注入机的性能和客户应用，同时研发投入多款面向细分领域的离子注入机，打造全系列的产品矩阵布局，积极推进包括 SOI氢离子注入机、中束流离子注入机、超高能离子注入机等特色工艺设备，并加快面向特色工艺的 SiC化合物半导体离子注入机的研发与应用，持续提升离子注入机重大装备自主可控水平，加速离子注入机在新领域的广泛应用，与客户建立更加紧密和长期的合作关系。同时，随着碳化硅为代表的第三代半导体材料的广泛应用，特别是在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域，对高性能、高可靠性的半导体器件需求急剧增加，进一步推动了离子注入机市场的增长。碳化硅等第三代半导体材料的掺杂需要极高的精度和均匀性，针对不同半导体材料和器件结构的需求，离子注入机需具备多能量和多种离子注入的能力。例如 SiC功率器件掺杂工艺中，需要极高温度才能得到理想的扩散系数，并可以最大限度地减少离子轰击对晶格的破坏，因此高温离子注入机成为了碳化硅功率器件制造中关键核心的设备。凯世通在该领域持续进行研发创新，不断取得突破，基于已有的技术积累，研发了面向碳化硅的高温离子注入机。 图：SiC器件结构图 图：不同温度下碳化硅材料与硅材料的扩散系数报告期内，凯世通紧跟技术发展趋势和客户需求，不断强化离子注入机领域的技术领先优势。
针对 28nm及更先进工艺对离子注入高精度、极少颗粒污染、高良率大产能的需求，采用多电极束流引出技术、超低能束流传输技术、离子束能量过滤技术、各向同性扫描、离子注入平台等技术，研制了注入角度控制更加精准的真空各向同性机械扫描系统、超细微颗粒污染控制、覆盖工艺广的离子注入机系列产品，推进全系列离子注入机的产业化。
（1）离子源方面，在超大规模集成电路的生产环节中，影响离子注入机正常工作时间的主要因素是离子源的定期维护，这种维护周期的长短影响设备的生产使用成本。离子源使用寿命的提高使得离子注入机的维护时间降低，正常工作时间提高，进而降低设备的生产使用成本。凯世通研制了适应多种不同场景的离子源，提高离子源使用寿命和引出束流的质量，进而提高离子注入工艺的良率和经济性。
（2）离子光路方面，采用高强度垂直式束流分析磁铁、均匀性调节装置、能量控制装置等束
流光学部件，质量分析器在很大幅宽范围内具有均匀的磁场分布，可以匹配从离子源引出的超宽幅带状离子束的传输，不需要对束流进行过多的展宽，从而减少了光学器件的数量，同时也缩短了束流路径的长度。以上两点提升了束流传输效率。 图：离子束光路系统
（3）工艺腔体和真空扫描机器人方面，采用真空五轴机器人与自主开发的运动控制算法相结
合实现精准注入，实现各向同性扫描保证了注入角度和均匀性的精确控制，降低束流发散效应对注入角度不均匀性的影响，提升芯片良率。
（4）传送机器人方面，采用双臂搬运机器人并行分工的机制，结合每个搬运机器人上具有多自由度的机械手，使得硅片在预真空腔体和工艺腔体间的传输可以有序交替并行作业从而减少无效等待时间，缩短了整个操作循环的时间，达到提高系统产能的目的。
2、生产基地建设方面
报告期内，凯世通的上海浦东金桥研发制造基地（简称“凯世通金桥基地”）进行了装修扩建，增强了离子注入机系列产品的研发与产业化能力，提升了自身的研发实力、客服水平、产能保障等综合竞争力。作为新落成的产业化中心，凯世通金桥基地无尘车间与办公总面积超过 1万平米，涵盖了技术研发、CIP改进、零部件组装与验证、工艺验证、生产制造、客户培训等功能，具有年产百余台离子注入机整机产能，并可向客户及合作伙伴提供低能大束流、超低温低能大束流、重金属低能大束流、高能离子注入机等全系列产品的评估，缩短从技术验证到客户导入的时间。 图：凯世通上海金桥基地千级洁净实验室
3、供应保障方面
公司持续优化供应链管理体系，建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制。当前，公司与核心部件供应商已建立良好的合作关系，拥有稳定的供应商体系。公司也在持续开发关键零部件的供应商，报告期内，公司开发新供应商 40余家，与多家国内科研院所等开展合作，新增多项关键零部件国产化验证项目，供应链总体安全稳定，有效保障产品按计划交付。
4、运营管理方面
公司坚持提升产品生产制造水平，优化运营管理。公司旗下凯世通通过精细化的管理手段，不断推动生产流程的优化，提高生产效率和规范化水平。在产品质量方面，凯世通建立完善的质量管理体系，确保从原材料采购到生产制造每个环节都经过严格的质量检测和控制，从而保证产品符合高标准的质量要求。同时，凯世通还注重提升售后技术服务能力，提高客户满意度；专门设立了 HSE（健康、安全、环境）管理科室，全面监控和管理公司的安全生产与合规运营。此外，在信息安全与保密方面，公司布局了完善的信息安全系统，确保公司网络和数据安全。
5、知识产权方面
公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司子公司凯世通持续并加强知识产权体系建设，建立了涵盖整机系统、关键技术和工艺应用的全方位专利体系。截至2024年6月30日，公司累计申请专利 321项，其中发明专利 178项，实用新型专利 135项，其他 8项；已授权专利 209项，其中发明专利 96项，实用新型专利 105项，外观设计专利 8项。 6、人才队伍建设方面报告期内，公司结合业务发展需要，持续加强人才梯队建设，公司研发人员人数从 157人增长到 179人，研发人员人数增长率为 14%。人才引进方面，公司拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及专家级技术人才团队，并吸引优秀应届生的加入，为公司战略发展注入新动能。人才培养方面，公司持续优化培训体系，组织开展多项深入的专题培训和学习交流，探索校企合作新模式，推荐优秀工程师进行在职教育，为员工的多方面发展提供平台与机会。公司旗下凯世通于2024年 7月获得浦东新区博士后创新实践基地入驻单位，未来也将与高校展开积极的合作，共同联合培养博士后。人才激励方面，公司重视员工薪酬激励制度体系的建设，并通过实施员工持股计划，充分调动员工的积极性和创造性，吸引和保留优秀管理人才和业务骨干，实现公司与员工的共赢。
7、战略合作方面
报告期内，公司与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）签署《协同创新发展全面战略合作协议》。双方将瞄准第三代半导体产业应用需求，携手共建国家第三代半导体创新中心先进化合物半导体器件制造中心与第三代半导体工艺技术开发平台，围绕先进半导体设备和工艺关键技术，设置研发课题，联合攻坚关键工艺节点核心工艺技术问题，合力开展关键工艺技术开发，驱动“产研合璧”，为第三代半导体芯片制程量产关键设备的国产化、标准化以及自主可控奠定升级基础。
8、外延式发展方面
公司不断践行外延式发展策略，报告期内，公司参与投资的上海半导体装备材料二期私募投资基金认缴出资总额增加至 20.245亿元人民币，于2024年 6月办理完成工商变更登记手续和中国证券投资基金业协会备案。公司将通过该基金布局集成电路产业相关领域，进一步促进产业链协同，推动公司集成电路业务发展。
9、现有存量房产去化方面
2024年上半年，公司房产业务无新增土地储备，无新开发的住宅项目，以推动车位和存量房销售为主要目标。报告期内，车位已完成上半年既定销售目标。公司销售部门和其他部门将通力合作，加快下半年度销售进度。
10、内部治理方面
公司建立了较为完善的内控制度和治理结构。报告期内公司严格依照有关法律、法规、规范议事规则》、《独立董事制度》、《董事会战略委员会实施细则》、《董事会审计委员会实施细则》、《董事会提名委员会实施细则》、《董事会薪酬与考核委员会实施细则》、《关联交易管理制度》、《对外担保管理制度》、《对外投资管理制度》、《募集资金管理制度》等 13项制度，不断完善公司的治理机制，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，强化风险管理和内部控制，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现提供有力保障。
11、信息披露及防范内幕交易方面
公司高度重视上市公司规范运作、信息披露和投资者关系管理工作，严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、公平地履行信息披露义务。通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证 e 互动、电话、邮件、接待投资者现场调研等诸多渠道，与投资者进行沟通交流，建立良好的互动关系。
同时，公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期开展禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
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